台积电公布路线图,A12、A13制程亮相,预计2029年投产
当地时间4月22日,台积台积电在美国加州圣塔克拉拉市举行的布路2026年北美技术论坛上公布了A12、A13亚纳米工艺制程,线图双流新闻网并宣布将会在2029年量产。制程


在此之前,亮相台积电公布过的预计最先进的制程是A14,量产时间为2028年,年投而最新的台积A13制程的定义是A14的光学缩小版。A13没有重构,布路而是线图在完全兼容A14的设计规则和特性的前提下,将面积缩减了约6%,制程用更小的亮相尺寸提供同样强大的性能。
而A12则是预计双流新闻网采用了第二代纳米片晶体管(GAA)技术以及背面供电的超级电轨(SPR)技术而打造,专门适配AI和HPC应用领域。年投其通过正面和背面同时微缩的台积方式,让晶体管密度显著提升,尽可能满足数据中心对算力的爆炸需求。同时,其首次采用SPR技术的A16制程被推迟到2027年量产,所以这个A12被台积电视为A16的下一代产品。

除此之外,台积电也宣布了第三代2nm制程N2U。相比第二代2nm制程N2P,它能够将速度提升3%~4%、功耗降低8%~10%、逻辑密度提升2%-3%,同样会用于AI、高速计算等领域,预计在2028年量产。台积电表示,尽管采用第一代2nm制程N2的芯片已经开始大规模量产,但3nm仍然是当下营收的大头。

图片来自《日经亚洲》
另外,台积电还宣布更新了CoWoS封装技术,在摩尔定律进入提升瓶颈的情况下,先进封装成为了提升性能的新路径。
为了支持AI对单一封装中更高算力、更大内存的要求,台积电正在生产5.5倍光罩尺寸的CoWoS,后续还有更大尺寸的版本推出,比如14倍光罩尺寸的CoWoS,计划于2028年开始生产。该尺寸能够整合大约10个大型计算芯片+20个HBM堆叠,进一步挑战物理极限。
除了它以外还有更大的,2029年还会有大于14倍光罩尺寸的CoWoS亮相,与同年推出的40倍光罩尺寸SoW-X系统级晶圆先进封装技术形成互补。

图片来自Counterpoint Research
目前,全世界有七成的芯片都来自台积电,先进制程领域的市场也是台积电占绝对大头,真的只能感叹一句“你大哥还是你大哥”。
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